Найменування приладу: AP4525GEM Тип транзистора: MOSFET Полярність: NP Максимальна потужність, що розсіюється (Pd): 2 W Гранично допустима напруга сток-витік |Uds|: 40 V Гранично допустима напруга затвор-витік |Ugs|: 16 V Порогова напруга включення | Ugs (th) |: 3 V Максимально допустимий постійний струм стоку | Id |: 6 A Час зростання (tr): 20 ns Вихідна ємність (Cd): 100 pf Опір сток-витік відкритого транзистора (Rds): 0.028 Ohm Тип корпусу: SO8