Найменування приладу: 2SK3767
Маркування: K3767
Тип транзистора: MOSFET
Полярність: N
Максимальна потужність, що розсіюється (Pd): 25 W
Гранично допустима напруга сток-витік |Uds|: 600 V
Гранично допустима напруга затвор-витік | Ugs |: 30 V
Порогова напруга включення | Ugs (th) |: 4 V
Максимально допустимий постійний струм стоку | Id |: 2 A
Максимальна температура каналу (Tj): 150 °C
Загальний заряд затвора (Qg): 9 nC
Час зростання (tr): 15 ns
Вихідна ємність (Cd): 100 pf
Опір стік-витік відкритого транзистора (Rds): 4.5 Ohm
Тип корпусу: TO220SIS