Новий оригінальний транзистор TK2R9E10PL.

Використовується в інверторах, ДБЖ і т.д.

Виробник - TOSHIBA.

Маркування: K2R9E10PL

Тип транзистора: MOSFET

Полярність: N

Максимальна потужність, що розсіюється (Pd): 306 W

Гранично допустима напруга сток-витік |Uds|: 100 V

Гранично допустима напруга затвор-витік | Ugs |: 20 V

Порогова напруга включення | Ugs (th) |: 2.5 V

Максимально допустимий постійний струм стоку | Id |: 100 A

Максимальна температура каналу (Tj): 175 °C

Загальний заряд затвора (Qg): 161 nC

Час зростання (tr): 22 ns

Вихідна ємність (Cd): 1500 pf

Опір сток-витік відкритого транзистора (Rds): 0.0029 Ohm

Тип корпусу: TO220