Найменування приладу: 8N80

Тип транзизора: MOSFET

Полярність: N

Максимальна розсіювана потужність (Pd): 140 W

Гранично допустима напруга стик-висток (Uds): 800 V

Гранично допустима напруга затвор-висток (Ugs): 30 V

Максимально допустимий постійний струм стоку (Id): 8 A

Максимальна температура каналу (Tj): 150 °C

Опір стік-виток відкритого транзизора (Rds): 1.65 Ohm