N-Channel STripFET™ II, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
Структура n-канал
Максимальна напруга стік-витік Uси,75
Максимальний струм стік-витік при 25 З Іси макс..А 80
Максимальна напруга затвор-витік Uзи макс.,В ±20
Опір каналу у відкритому стані Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.011 ом при 40a, 10в
Максимальна потужність, що розсіюється Рсі макс..45 Вт
Крутизна характеристики S 20
Корпус to220ab
Особливості потужний польовий
Порогове напруга на затворі 4
Вага, г 2.5