•
•
•
•
•
•
Транзистор польовий IRF7663
Характеристики та опис
Основні
| Виробник | IR |
Користувальницькі характеристики
| Корпус | SOIC-8 |
| Число каналів | 1 |
| Максимальна робоча температура, °C | 150 |
| Мінімальна робоча температура, °C | -55 |
| Напруга затвор-витік Vgs, Вольт | 12 |
| Напруга пробою сток-витік Vds, Вольт | 20 |
| Опір сток-витік (25°C) Rds(on), Ом | 0,02 |
| Полярність | P-Channel |
| Порогова напруга затвор-витік Vgs(th), Вольт | 0,6-1,2 |
| Постійний струм стоку (25°C) Id, Ампер | 8,2 |
| Розсіювана потужність (25°C) Pd, Ватт | 1,8 |
| Час відкриття транзистора td(on), Наносекунд | 11 |
| Час закриття транзистора td(off), Наносекунд | 125 |
P-ch; 1.8W; -20V; -8.2A; 0.02 Ohm, HEXFET® Power MOSFET
Транзистор польовий IRF7663
Готово до відправки
24.36 ₴
Способи оплати
Нова Пошта, Укрпошта, Meest ПОШТА
Способи доставки
Нова Пошта — від 70 грн
Укрпошта — від 39 грн
Meest ПОШТА — від 30 грн
Умови повернення
Повернення товару впродовж 14 днів за рахунок покупцяІнші товари продавця
9.4 ₴
97.44 ₴
63.22 ₴
53.94 ₴
Дивіться також
Новинки в категорії транзистори
Улюблені товари покупців
Чат