P-Channel MOSFET -150V, -13A, 0.295Ω
Характеристики
| Корпус | I-PAK |
| Структура | P |
| Схема соединения | Одиночный |
| V(BR)DSS - напряжение пробоя сток-исток | -150 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | ±20 V |
| Id25 - постоянный ток стока при 25°C | -13 А |
| Id75(100) - постоянный ток стока при 75(100)°C | -9 А |
| Rds(on)25 - сопротивление сток-исток при 25°C,Vgs=10V | 0.295 Ом |
| VGS(th) - пороговое напряжение затвор-исток (диапазон) | -2 ... -4 V |
| Мощность рассеяния при 25°C | 110 Вт |
| Qg - заряд затвора | 4.4e-8 |