Основні

Тип транзистора	Біполярний
Тип біполярного транзистора	P-N-P
Матеріал корпусу	Пластик
Максимально допустима напруга колектор-емітер	80 В
Максимально допустимий струм колектора	7.50 А
Максимальна потужність розсіювання	30 Вт
Тип монтажу	Ручний монтаж

Користувальницькі характеристики

Виконання	Дискретне
Виробник	ЗАТ Кремній Маркетинг м. Брянськ
Технічний опис	завантажити PDF в специфікації

КТ837А транзистор PNP (7,5А 60В) 30W (ТО220)

КТ837С
Транзистори КТ837С кремнієві епітаксиально-дифузійні структури p-n-p перемикачі.
Призначені для застосування в підсилювачах і перемикальних пристроях.
Корпус пластмасовий із жорсткими виведеннями.
Маса транзизора не більш ніж 2,5 г.
Тип корпусу: КТ-28 (ТО-220).
Технічні умови: АА0.336.403 ТУ.

Основні технічні характеристики транзизора КТ837С:
• Структура транзизора: p-n-p;
• Рк т max — Постійна розсіювана потужність колектора з тепловідведенням: 30 Вт;
• fГ — Гранична частота коефіцієнта передавання струму транзизора для схеми із загальним імітером: не менш ніж 1 МГц;
• Uкбо max — Максимальна напруга колектор-база за заданого зворотного струму колектора та розімкнутого ланцюга імітера: 60 В;
• Uебо max — Максимальна напруга емітер-база за заданого зворотного струму еміттера та розімкнутого кола колектора: 5 В;
• Iк max — Максимально допустимий постійний струм колектора: 7,5 А;
• Iкбо — зворотний струм колектора — струм через колекторний перехід за заданої зворотної напруги колектор-базу та розімкнутого виведення емітера: не більш ніж 0,15 мА;
• h21е — Статичний коефіцієнт передавання струму транзизора для схем із загальним імітером: 50... 150;
• Rке нас — Опір насичення між колектором і емітером: не більш ніж 0,3 Ом

Характеристики транзисторів КТ837А, КТ837Б, КТ837В, КТ837Г, КТ837Д, КТ837Е, КТ837Ж, КТ837Ї, КТ837К, КТ837Л, КТ837М, КТ837Н, КТ837П, КТ837Р, КТ837С, КТ837, К8377, КТТТ337Ф, КТ837Х:

Тип транзизора	Структура	Граничні значення параметрів за Тп = 25 °C						Значення параметрів за Тп = 25 °C								TП max	Т max
		IК max	IК. И. max	UКЭR max (UКЭ0 max)	UКБ0 max	UЭБ0 max	РК max (РК. Т. max)	h21Э	UКЭ нас.	IКБО	IЭБО	IКЭR	f гp.	СК	СЭ	TП max	Т max
		А	А	В	В	В	Вт		В	мА	мА	мА	МГц	пФ	пФ	°С	°С
КТ837А	p-n-p	7,5	-	70	80	15	1 (30)	10…40	<2,5	<0,15	<0,3	<10	>1	-	-	125	-60…+100
КТ837Б	p-n-p	7,5	-	70	80	15	1 (30)	20…80	<2,5	<0,15	<0,3	<10	>1	-	-	125	-60…+100
КТ837В	p-n-p	7,5	-	70	80	15	1 (30)	50…150	<2,5	<0,15	<0,3	<10	>1	-	-	125	-60…+100
КТ837Г	p-n-p	7,5	-	55	60	15	1 (30)	10…40	<0,9	<0,15	<0,3	<10	>1	-	-	125	-60…+100
КТ837Д	p-n-p	7,5	-	55	60	15	1 (30)	20…80	<0,9	<0,15	<0,3	<10	>1	-	-	125	-60…+100
КТ837Е	p-n-p	7,5	-	55	60	15	1 (30)	50…150	<0,9	<0,15	<0,3	<10	>1	-	-	125	-60…+100
КТ837Ж	p-n-p	7,5	-	40	45	15	1 (30)	10…40	<0,5	<0,15	<0,3	<10	>1	-	-	125	-60…+100
КТ837	p-n-p	7,5	-	40	45	15	1 (30)	20…80	<0,5	<0,15	<0,3	<10	>1	-	-	125	-60…+100
КТ837К	p-n-p	7,5	-	40	45	15	1 (30)	50…150	<0,5	<0,15	<0,3	<10	>1	-	-	125	-60…+100
КТ837Л	p-n-p	7,5	-	70	80	5	1 (30)	10…40	<2,5	<0,15	<0,3	<10	>1	-	-	125	-60…+100
КТ837М	p-n-p	7,5	-	70	80	5	1 (30)	20…80	<2,5	<0,15	<0,3	<10	>1	-	-	125	-60…+100
КТ837Н	p-n-p	7,5	-	70	80	5	1 (30)	50…150	<2,5	<0,15	<0,3	<10	>1	-	-	125	-60…+100
КТ837П	p-n-p	7,5	-	55	60	5	1 (30)	10…40	<0,9	<0,15	<0,3	<10	>1	-	-	125	-60…+100
КТ837Р	p-n-p	7,5	-	55	60	5	1 (30)	20…80	<0,9	<0,15	<0,3	<10	>1	-	-	125	-60…+100
КТ837С	p-n-p	7,5	-	55	60	5	1 (30)	50…150	<0,9	<0,15	<0,3	<10	>1	-	-	125	-60…+100
КТ837Т	p-n-p	7,5	-	40	45	5	1 (30)	10…40	<0,5	<0,15	<0,3	<10	>1	-	-	125	-60…+100
КТ837У	p-n-p	7,5	-	40	45	5	1 (30)	20…80	<0,5	<0,15	<0,3	<10	>1	-	-	125	-60…+100
КТ837Ф	p-n-p	7,5	-	40	45	5	1 (30)	50…150	<0,5	<0,15	<0,3	<10	>1	-	-	125	-60…+100
КТ837Х	p-n-p	7,5	-	180	180	5	1 (30)	>15	<0,5	<0,15	<0,3	<10	>1	-	-	125	-60…+100

Усоловні позначення електричних параметрів транзисторів:
• IК max — максимально допустимий постійний струм колектора транзизора.
• IК. И. max — максимально допустимий імпульсний струм колектора транзистора.
• UКЭR max — максимальна напруга між колектором і емітером за заданого струму колектора та опору в ланцюгу база-емітер.
• UКЭ0 max — максимальна напруга між колектором і емітером транзизора за заданого струму колектора та струму бази, рівним нулю.
• UКБ0 max — максимальна напруга колектор-база за заданого струму колектора та струму еміттера, що дорівнює нулю.
• UЭБ0 max — максимально допустима постійна напруга емітер-база під час струму колектора, рівною нулю.
• РК max — максимально допустима постійна потужність, що розсіюється на колекторі транзистори.
• РК. Т. max — максимально допустима постійна потужність, що розсіюється на колекторі транзистори з тепловідведенням.
• h21Э — статичний коефіцієнт передавання струму біполярного транзистора.
• UКЭ нас. — напруга насичення між колектором і емітером транзизора.
• IКБО- зворотний струм колектора. Струм через колекторний перехід у разі заданої зворотної напруги колектор-база та розімкнутого виведення імітера.
• IЭБО- зворотний струм еміттера. Струм через евіттерний перехід у разі заданої зворотної напруги емітер-база та розімкнутого виведення колектора.
• IКЭR — зворотний струм колектор-емітер за заданої зворотної напруги колектор-емітер і опору в ланцюгу база-емітер.
• f гр — гранічна частота коефіцієнта передавання струму.
• СК - ємність колекторного переходу.
• СЭ - ємність колекторного переходу.
• ТП max - максимально допустима температура переходу.
• Т max — максимально допустима температура довкілля.