КТ844А
Транзисторы КТ844А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные.
Предназначены для применения в переключающих и импульсных устройствах.
Корпус металлический со стеклянными изоляторами и жесткими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 20 г.
Тип корпуса: КТ-9 (ТО-3).
Технические условия: аА0.336.575 ТУ.
Основные технические характеристики транзистора КТ844А:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 50 Вт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 7,2 МГц;
• Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 250 В (0.01кОм);
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 10 А;
• Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 20 А;
• Iкэr - Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер: 3 мА (250В);
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 10... 50;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 300 пФ;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,4 Ом;
• tрас - Время рассасывания: не более 2000 нс

Технические характеристики транзисторов 2Т844А, КТ844А:
Тип
транзистора |
Структура |
Предельные значения параметров при Тп=25°С |
Значения параметров при Тп=25°С |
TП
max |
Т
max |
IК
max |
IК. И.
max |
UКЭR max
(UКЭ0 max) |
UКБ0 max |
UЭБ0 max |
РК. Т. max |
h21Э |
UКЭ
нас. |
IКБО |
IЭБО |
IКЭR |
f гp. |
СК |
СЭ |
| А |
А |
В |
В |
В |
Вт |
|
В |
мА |
мА |
мА |
МГц |
пФ |
пФ |
°С |
°С |
| 2Т844А |
n-p-n |
10 |
20 |
250 |
- |
4 |
50 |
10…50 |
<2,5 |
- |
<20 |
<3 |
>7,2 |
<300 |
- |
175 |
-60…+125 |
| КТ844А |
n-p-n |
10 |
20 |
250 |
- |
4 |
50 |
10…50 |
<2,5 |
- |
<20 |
<3 |
>7,2 |
<300 |
- |
175 |
-45…+100 |
Условные обозначения электрических параметров транзисторов:
• IК max - максимально допустимый постоянный ток коллектора транзистора.
• IК. И. max - максимально допустимый импульсный ток коллектора транзистора.
• UКЭR max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером при заданном токе коллектора и сопротивлении в цепи база-эмиттер.
• UКЭ0 max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при заданном токе коллектора и токе базы, равным нулю.
• UКБ0 max - максимальное напряжение коллектор-база при заданном токе коллектора и токе эмиттера, равным нулю.
• UЭБ0 max - максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база при токе коллектора, равном нулю.
• РК max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.
• РК. Т. max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора с теплоотводом.
• h21Э - статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора.
• UКЭ нас. - напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора.
• IКБО- обратный ток коллектора. Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера.
• IЭБО- обратный ток эмиттера. Ток через эмиттерный переход при заданном обратном напряжении эмиттер-база и разомкнутом выводе коллектора.
• IКЭR - обратный ток коллектор-эмиттер при заданном обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер.
• f гр - граничная частота коэффициента передачи тока.
• СК - емкость коллекторного перехода.
• СЭ - емкость коллекторного перехода.
• ТП max - максимально допустимая температура перехода.
• Т max - максимально допустимая температура окружающей среды.