Описание

це N-канальный JFET (польовий транзистор з керуючим p-n переходом, режим збіднення). На відміну від звичайного enhancement MOSFET, такий транзистор проводить струм уже при VGS≈0 і керується зміною напруги затвор-витік. Основні сфери застосування: малошумні підсилювачі, вхідні каскади аудіоапаратури, генератори, аналогові комутатори та високoомні вимірювальні входи.

Технические характеристики

• Тип: N-канальный JFET (польовий транзистор з керуючим p-n переходом, режим збіднення)
• Корпус: TO-92 FSC
• Монтаж: THT (выводной монтаж)
• Напряжение сток-исток (VDS), за карткою: 30 В
• Постоянный ток стока (ID), за карткою: 0.01 А
• Рассеиваемая мощность (PD), за карткою: 0.35 Вт
• Тип: N-channel JFET, depletion mode
• VDS: ±30 В (NXP quick-reference)
• IDSS для BF245A: 2…6,5 мА
• VGS(off): приблизно -0,25…-8 В для сімейства A/B/C
• Потужність: 300…350 мВт залежно від виробника/умов
• JFET: параметр VGS(th) MOSFET до нього не застосовується

Функционал

• Коммутация электрическиго нагрузки

Распиновка

Для BF245A цокольовка залежить від виробника/корпусного виконання. Для Fairchild/ON Semiconductor у TO-92 Style 23: 1=Gate, 2=Source, 3=Drain. Для Philips/NXP SOT54 у документації зустрічається 1=Drain, 2=Source, 3=Gate. Перед монтажем потрібно звірити саме виробника деталі.