N; 30V; 12A; 2.5W; 0.011 Ohm
Описание
IRF7413 — N-канальный MOSFET-транзистор, изготовленный по технологии HEXFET и предназначенный для высокочастотных DC-DC преобразователей, импульсных источников питания (SMPS) и схем управления питанием. Имеет низкое сопротивление открытого канала и поддерживает управление низким напряжением.
Распиновка корпуса SO-8: выводы 1, 2, 3 — Source (исток); вывод 4 — Gate (затвор); выводы 5, 6, 7, 8 — Drain (сток).
Технические характеристики
- Тип: N-канальный MOSFET
- Максимальное напряжение сток-исток (VDS): 30 В
- Максимальный ток стока (ID): 13 А при температуре 25 °C; 9,6 А при 70 °C
- Сопротивление открытого канала (RDS(on)): 0,011 Ом при VGS = 10 В
- Пороговое напряжение затвора (VGS(th)): 1–3 В
- Максимальное напряжение затвор-исток (VGS): ±20 В
- Максимальная рассеиваемая мощность (PD): 2,5 Вт
- Диапазон рабочих температур: -55...+150 °C
- Корпус: SO-8, SMD
Функционал
- Коммутация нагрузок постоянного тока
- Высокочастотное переключение электрических цепей
- Работа в DC-DC преобразователях и импульсных источниках питания
- Управление нагрузкой сигналом низкого напряжения