Характеристики и описание
Основной
| Тип монтажа | Ручной монтаж |
| Производитель | NXP Semiconductors |
| Максимально допустимое напряжение коллектор-эммитер | 45 В |
| Максимально допустимый ток коллектора | 0.50 А |
| Максимальная мощность рассеивания | 0.50 Вт |
| Страна производитель | Китай |
| Тип транзистора | Биполярный |
| Материал корпуса | Пластик |
| Тип биполярного транзистора | P-N-P |
Пользовательские характеристики
| Техническое описание | скачать PDF в спецификации |
| PNP | TRANSISTOR |
Биполярные транзисторы - BJT TRANS GP BULK STR LEAD атегория продукта: Биполярные транзисторы - BJT Производитель: NXP RoHS: Подробности Вид монтажа: SMD/SMT Упаковка / блок: SOT-54-3 /TO-92 Полярность транзистора: PNP Конфигурация: Single Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: 45 V Напряжение коллектор-база (VCBO): 50 V Напряжение эмиттер-база (VEBO): 5 V Максимальный постоянный ток коллектора: 0.5 A Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT): 80 MHz Максимальная рабочая температура: + 150 C Торговая марка: NXP Semiconductors Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe): 250 Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.: 250 at 100 mA at 1 V Высота: 5.2 mm Длина: 4.8 mm Минимальная рабочая температура: - 65 C Упаковка: Reel Pd - рассеивание мощности: 625 mW Размер фабричной упаковки: 1000 Ширина: 4.2 mm Другие названия товара №: BC327-40,112