promo_download_app_ios_2025
Нажмите найти для поиска
IRF 630N  транзистор  MOSFET N-CH 200V 9A TO-220 75W
IRF 630N  транзистор  MOSFET N-CH 200V 9A TO-220 75W
Характеристики и описание

Основной

ПроизводительInternational Rectifier
Материал корпусаПластик
Страна производительКитай
Тип монтажаРучной монтаж
Максимальная мощность рассеивания75 Вт
Тип транзистораПолевой
Максимально допустимое напряжение сток-исток200 В
Максимально допустимый ток стока9 А

Користувацькi характеристики

Data sheet:скачать PDF в спецификации
Корпус транзистора:ТО220
IRF 630N  транзистор  MOSFET N-CH 200V 9A TO-220 75W
N-CHANNEL 9А, 200В, 0,35 Ом, N-канал, Power MOSFET

 

Изображения служат только для ознакомления
См. спецификации продукта

Производитель: STMicroelectronics
Категория продукта: МОП-транзистор
RoHS: Соответствует RoHS Подробности  
Торговая марка: STMicroelectronics  
Полярность транзистора: N-Channel
Vds - напряжение пробоя сток-исток: 200 V
Vds - напряжение пробоя затвор-исток: 20 V
Id - непрерывный ток утечки: 9 A
Rds Вкл - сопротивление сток-исток: 400 mOhms
Конфигурация: Single
Максимальная рабочая температура: + 150 C
Pd - рассеивание мощности: 75 W
Вид монтажа: Through Hole
Упаковка / блок: TO-220-3
Упаковка: Tube
Канальный режим: Enhancement  
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.: 4 S  
Минимальная рабочая температура: - 65 C  
Время нарастания: 15 ns  
Серия: IRF630  
Размер фабричной упаковки: 50

IRF 630N транзистор MOSFET N-CH 200V 9A TO-220 75W

В наличии
Код: IRF 630N
39 
Способы оплаты
Безопасная оплата
  • Как наложенный платеж, только без переплат
  • Вернем деньги, если что-то пойдет не так
  • Bigl гарантирует безопасность
Наложенный платеж
Магазины Rozetka, Самовывоз
Оплата на счет
IBAN UA953052990000026008036705932
Способы доставки
Нова Пошта — от 70 грн
Укрпошта — от 39 грн
Meest ПОШТА — от 30 грн
Самовывоз
Условия возврата
Возврат товара в течение 14 дней за домовленістю
Чат