Транзистор біполярний
Маркування: 1D (K3M, A42)
Корпус: SOT-23
high voltage transistor npn silicon
Технічні параметри:
Напруга емітер-колектор: 300 В
Напруга колектор-база: 300 В
Напруга эмитер-база: 6 В
Максимально допустимий струм: 500 мА
Максимальна розсіює потужність: 300 мВт