Модуль IGBT от бренда SEMIKRON DANFOSS с моделью SEMIX151GD12E4S. Это полупроводниковое устройство в корпусе SEMIX®13 с максимально допустимым током коллектора 450 А и обратным напряжением 1,2 кВ.

• Максимально допустимый ток коллектора: 450 А
• Максимальное обратное напряжение: 1,2 кВ
• Топология: трехфазный IGBT-мост с термистором
• Корпус: SEMIX®13
• Тип монтажа: вставной
• Напряжение затвор-эмиттер: ±20 В

Модуль рассчитан на максимальный ток коллектора 450 А. Максимальное обратное напряжение составляет 1,2 кВ. Напряжение между затвором и эмиттером ограничено диапазоном ±20 В.

Устройство имеет топологию трехфазного IGBT-моста с термистором. Внутренняя структура полупроводника реализована по схеме «транзистор/транзистор». Монтаж выполняется вставным способом. Корпус типа SEMIX®13.