Модуль IGBT SEMIKRON DANFOSS SKM600GA176D в корпусе SEMITRANS4. Структура полупроводника — одиночный транзистор. Максимальное обратное напряжение — 1,7 кВ.

• Тип: модуль IGBT, одиночный транзистор
• Максимальное обратное напряжение: 1,7 кВ
• Ток коллектора: 400 А
• Импульсный ток коллектора: 800 А
• Напряжение затвор – эмиттер: ±20 В
• Корпус: SEMITRANS4

Ток коллектора — 400 А, импульсный ток коллектора — 800 А. Напряжение затвор – эмиттер — ±20 В.

Механический монтаж — винтовой (прикручивание), электрическое подключение — прикручивание.

Применение по данным TME: источники бесперебойного питания (UPS), инверторы, фотовольтаика.