IGBT модуль от бренда SEMIKRON DANFOSS, модель SEMIX904GB126HDS. Это полупроводниковый компонент в корпусе SEMiX® 4s с максимально допустимым током коллектора 600 А и обратным напряжением 1,2 кВ.

• Тип модуля: IGBT
• Максимально допустимый ток коллектора: 600 А
• Обратное напряжение: 1,2 кВ
• Напряжение затвор-эмиттер: ±20 В
• Корпус: SEMiX® 4s
• Тип монтажа: вставной

Модуль работает с обратным напряжением до 1,2 кВ и выдерживает максимальный ток коллектора 600 А. Напряжение между затвором и эмиттером составляет ±20 В. Эти параметры определяют рабочий диапазон устройства в электрических схемах.

Компонент имеет структуру «транзистор/транзистор» и топологию полумоста IGBT с термистором. Монтаж выполняется вставным способом. Корпус выполнен по стандарту SEMiX® 4s.