Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STW10NK80Z — это униполярный компонент с каналом обогащения, предназначенный для работы при напряжении до 800 В и токе до 6 А. Комплект состоит из 5 единиц в корпусе TO247, предназначен для монтажа в отверстия печатных плат.

• Тип транзистора: N-MOSFET, униполярный
• Максимальное напряжение сток-исток: 800 В
• Ток стока: 6 А
• Мощность рассеивания: 160 Вт
• Корпус: TO247, монтаж THT
• Комплектация: 5 шт.

Транзистор рассчитан на максимальное напряжение между стоком и истоком 800 В и постоянный ток стока 6 А. Мощность рассеивания составляет 160 Вт. Сопротивление в открытом состоянии равно 0,9 Ом, а допустимое напряжение на затворе — ±30 В.

Компонент изготовлен по технологии SuperMesh™, что влияет на его ключевые характеристики. Корпус TO247 и тип монтажа THT (навесной) предусматривают установку в отверстия печатных плат.