P-MOSFET транзистор GOFORD SEMICONDUCTOR G230P06M в корпусе TO263. Предназначен для поверхностного монтажа, имеет максимальную мощность рассеивания 105 Вт.
- Тип транзистора: Полевой (P-MOSFET)
- Корпус: TO263
- Тип монтажа: Поверхностный
- Максимальная мощность рассеивания: 105 Вт
- Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 В
- Количество в комплекте: 30 шт.
Электрические параметры
Транзистор является полевым (MOSFET) с каналом типа P. Максимальная мощность рассеивания составляет 105 Вт. Максимально допустимое напряжение затвор-исток равно 20 В.
Конструкция и монтаж
Изделие выполнено в корпусе TO263, что предполагает поверхностный монтаж (SMD). Технология изготовления — Trench. Поляризация транзистора — униполярная.
Комплектация
В комплекте поставляется 30 шт. транзисторов.