Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP18N60M2 — это полевой транзистор с технологией MDmesh™ II Plus в корпусе TO220-3. Устройство имеет максимальное напряжение сток-исток 650 В и ток стока 8 А.

• Тип транзистора: N-MOSFET (полевой)
• Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 В
• Максимально допустимый ток стока: 8 А
• Максимальная мощность рассеивания: 110 Вт
• Сопротивление в открытом состоянии: 280 мОм
• Корпус: TO220-3, навесной монтаж
• Комплектация: 10 шт.

Транзистор рассчитан на максимальное напряжение сток-исток 650 В и напряжение затвор-исток 25 В. Максимально допустимый ток стока составляет 8 А, а сопротивление в открытом состоянии (Rds) равно 280 мОм. Максимальная мощность рассеивания — 110 Вт.

Компонент изготовлен по технологии MDmesh™ II Plus и имеет версию ESD. Корпус TO220-3 предназначен для навесного монтажа. Канал транзистора является обогащаемым, а полярность — униполярной.