Биполярный транзистор структуры Дарлингтон с типом проводимости NPN. Прибор выполнен в корпусе DPAK для поверхностного монтажа и предназначен для работы с напряжением до 100 В и током коллектора до 2 А.

• Тип транзистора: биполярный, структура Дарлингтон
• Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 100 В
• Максимально допустимый ток коллектора: 2 А
• Максимальная мощность рассеивания: 20 Вт
• Граничная частота передачи: 25 МГц
• Корпус: DPAK, монтаж поверхностный

Максимальное напряжение коллектор-эмиттер составляет 100 В, что определяет границы рабочей нагрузки. Максимально допустимый ток коллектора равен 2 А. Граничная частота передачи сигнала — 25 МГц, что характеризует быстродействие устройства.

Максимальная мощность рассеивания транзистора — 20 Вт. Корпус DPAK. Тип монтажа — поверхностный.

В набор поставляется 30 шт. транзисторов MJD112T4.