Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STFW3N170 — это полевой транзистор с обогащенным каналом, предназначенный для работы с напряжением до 1,7 кВ. Модель имеет максимальный ток стока 2,6 А и мощность рассеивания 63 Вт в корпусе TO3PF.

• Тип транзистора: N-MOSFET, обогащенный канал
• Максимальное напряжение: 1,7 кВ
• Максимальный ток стока: 2,6 А
• Мощность рассеивания: 63 Вт
• Корпус: TO3PF, выводной монтаж
• Сопротивление в открытом состоянии: 7000 мОм
• Количество в комплекте: 5 шт.

Транзистор является полевым (MOSFET) с каналом типа N и обогащенным каналом (enhancement mode). Максимально допустимое напряжение сток-исток составляет 1,7 кВ, что определяет класс высоковольтных компонентов. Максимальный ток стока равен 2,6 А, а сопротивление в открытом состоянии (Rds) — 7000 мОм.

Компонент выполнен в корпусе TO3PF. Мощность рассеивания — 63 Вт. Тип монтажа — выводной (through-hole). Общий заряд затвора (gate charge) составляет 44 нКл.

В набор поставляется 5 транзисторов STFW3N170.