Транзистор IGBT STMicroelectronics STGF30M65DF2 — биполярный транзистор с изолированным затвором в корпусе TO220FP, тип монтажа — выводной. Основные параметры из наименования TME: 650 В, 30 А, 38 Вт. В наборе 10 шт.

• Параметры из наименования TME: 650 В, 30 А, 38 Вт
• Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 В
• Напряжение затвор-эмиттер: ±20 В
• Заряд затвора: 80 нКл
• Корпус: TO220FP
• Количество в наборе: 10 шт.

Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер — 650 В. Максимальная мощность рассеивания — 38 Вт. Напряжение затвор-эмиттер — ±20 В. Заряд затвора — 80 нКл. Транзистор имеет встроенный антипараллельный диод.