Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP6NK60Z — полевой транзистор с обогащенным каналом в корпусе TO220-3. Максимальное напряжение сток-исток составляет 600 В, а ток стока — 3,8 А. В комплекте 10 штук.

• Тип транзистора: полевой (N-MOSFET)
• Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 В
• Максимально допустимый ток стока: 3,8 А
• Максимальная мощность рассеивания: 110 Вт
• Корпус: TO220-3
• Количество в комплекте: 10 шт.

Транзистор рассчитан на максимальное напряжение сток-исток 600 В и напряжение затвор-исток 30 В. Максимально допустимый ток стока равен 3,8 А. Сопротивление в открытом состоянии (Rds) составляет 1200 мОм.

Максимальная мощность рассеивания транзистора — 110 Вт. Устройство изготовлено по технологии SuperMesh™ и имеет версию ESD.

Транзистор имеет штыревой тип монтажа и изготовлен в корпусе TO220-3. Полярность транзистора — униполярная.