Транзистор IGBT DIOTEC SEMICONDUCTOR DIW030M060 — полупроводниковый прибор в корпусе TO247-3 с максимальным напряжением 600 В и мощностью рассеивания 150 Вт.
- Тип транзистора: IGBT
- Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 В
- Максимальная мощность рассеивания: 150 Вт
- Корпус: TO247-3
- Тип монтажа: выводной
- Количество в комплекте: 10 шт.
Электрические параметры
Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер составляет 600 В. Максимальная мощность рассеивания равна 150 Вт.
Конструкция и монтаж
Прибор выполнен в корпусе TO247-3 с выводным типом монтажа. Интегрированная антипараллельная диодная структура является частью конструкции транзистора.
Управление затвором
Заряд затвора составляет 45 нКл. Максимальное напряжение затвор-эмиттер ограничено ±20 В.