•
•
•
•
•
•
Транзистор IGBT ROHM SEMICONDUCTOR RGT16BM65DTL, 650 В, 8 А, TO252 (набор 10 шт.)
Характеристики и описание
Основной
| Производитель | Rohm Semiconductor |
| Максимальная мощность рассеивания | 47 Вт |
| Максимально допустимое напряжение коллектор-эммитер | 650 В |
| Максимально допустимый ток коллектора | 24 А |
Дополнительные характеристики
| Состояние | Новое |
Основной
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
Пользовательские характеристики
| Гарантийный срок | 12 міс |
| Количество в комплекте | 10 шт. |
| Корпус | TO252 |
Транзистор IGBT производства ROHM SEMICONDUCTOR, модель RGT16BM65DTL. Максимальное напряжение коллектор-эмиттер составляет 650 В, номинальный ток — 8 А. Мощность рассеивания составляет 47 Вт.
- Тип транзистора: IGBT
- Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 В
- Ток коллектора: 8 А (макс. 24 А)
- Максимальная мощность рассеивания: 47 Вт
- Корпус: TO252, тип монтажа: поверхностный
- Количество в комплекте: 10 шт.
Транзистор имеет максимальное напряжение коллектор-эмиттер 650 В и максимальный ток коллектора 24 А. Максимальная мощность рассеивания равна 47 Вт. Заряд затвора составляет 21 нКл, а напряжение затвор-эмиттер — ±30 В.
Конструкция и монтажКомпонент выполнен в корпусе TO252 с поверхностным монтажом. Встроенный антипараллельный диод является частью структуры транзистора.
Комплектация и корпусВ наборе 10 транзисторов в корпусе TO252.
Транзистор IGBT ROHM SEMICONDUCTOR RGT16BM65DTL, 650 В, 8 А, TO252 (набор 10 шт.)
В наличии
3 250 ₴
Способы оплаты
Безопасная оплата
- Как наложенный платеж, только без переплат
- Вернем деньги, если что-то пойдет не так
- Bigl гарантирует безопасность
Нова Пошта, Самовывоз
Способы доставки
Нова Пошта — от 70 грн
Самовывоз
Условия возврата
Возврат товара в течение 14 дней Другие товары продавца
Смотрите также
Новинки в категории транзисторы
Любимые товары покупателей
Чат