Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STD20NF06LT4 — это полевой транзистор с каналом типа N в корпусе DPAK. Прибор рассчитан на максимальное напряжение сток-исток 60 В и ток стока 17 А, с мощностью рассеивания 60 Вт.

• Тип транзистора: N-MOSFET (полевой)
• Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 В
• Максимально допустимый ток стока: 17 А
• Максимальная мощность рассеивания: 60 Вт
• Сопротивление в открытом состоянии (Rds): 50 мОм
• Корпус: DPAK, монтаж поверхностный
• Количество в комплекте: 20 шт.

Транзистор имеет максимальное напряжение сток-исток 60 В и максимально допустимый ток стока 17 А. Максимальная мощность рассеивания составляет 60 Вт, а сопротивление в открытом состоянии (Rds) равно 50 мОм. Максимально допустимое напряжение затвор-исток ограничено значением 18 В.

Прибор выполнен для поверхностного монтажа (SMD) в корпусе DPAK. Транзистор является полевым (MOSFET) с каналом типа N (обогащенного типа) и однополярной структурой.

Компонент изготовлен по технологии SuperMesh™. Версия транзистора обозначена как ESD.