Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STW33N60DM2 — это полевой транзистор с каналом обогащения. Модель имеет максимальное напряжение сток-исток 650 В и ток стока 15,5 А.

• Тип транзистора: N-MOSFET (полевой, униполярный)
• Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 В
• Максимально допустимый ток стока: 15,5 А
• Максимальная мощность рассеивания: 190 Вт
• Сопротивление в открытом состоянии (Rds): 110 мОм
• Корпус: TO247, монтаж выводной
• Количество в наборе: 5 шт.

Транзистор работает с максимально допустимым напряжением сток-исток 650 В и максимально допустимым напряжением затвор-исток 25 В. Максимально допустимый ток стока составляет 15,5 А, а сопротивление в открытом состоянии (Rds) равно 110 мОм. Максимальная мощность рассеивания ограничена значением 190 Вт.

Компонент выполнен в корпусе TO247. Тип монтажа — выводной. Транзистор является униполярным с каналом обогащения.

В комплект поставки входят 5 транзисторов STW33N60DM2.