Транзистор IGBT STGW30H60DFB от STMicroelectronics в корпусе TO247-3. Устройство рассчитано на максимальное напряжение коллектор-эмиттер 600 В и ток коллектора 120 А. В комплект входит 10 единиц.

• Тип транзистора: IGBT
• Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 В
• Максимально допустимый ток коллектора: 120 А
• Максимальная мощность рассеивания: 260 Вт
• Корпус: TO247-3
• Количество в комплекте: 10 шт.

Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер составляет 600 В, что определяет рабочий диапазон устройства. Максимально допустимый ток коллектора равен 120 А. Максимальная мощность рассеивания — 260 Вт. Заряд затвора указан как 149 нКл, а напряжение затвор-эмиттер — ±20 В.

Транзистор имеет штыревой тип монтажа и выполнен в корпусе TO247-3. В конструкции предусмотрен интегрированный антипараллельный диод (integrated anti-parallel diode). Тип транзистора: IGBT.

В набор входит 10 транзисторов STGW30H60DFB.