Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP11NM60FD — полевой транзистор с технологией FDmesh™ в корпусе TO220-3.
- Тип транзистора: полевой N-MOSFET
- Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 В
- Максимально допустимый ток стока: 7 А
- Максимальная мощность рассеивания: 160 Вт
- Сопротивление в открытом состоянии: 450 мОм
- Корпус: TO220-3, вставной монтаж
- Комплектация: 5 шт.
Электрические параметры
Максимально допустимое напряжение сток-исток составляет 600 В, а максимально допустимый ток стока — 7 А. Максимальная мощность рассеивания достигает 160 Вт. Сопротивление в открытом состоянии (Rds) равно 450 мОм.
Конструкция и монтаж
Транзистор имеет вставной тип монтажа и выполнен в корпусе TO220-3. Канал транзистора является обогащенным, полярность — униполярная. Версия компонента обозначена как ESD.