Нажмите найти для поиска
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP11NM60FD, 600 В, 7 А, TO220-3 (5 шт.)
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP11NM60FD, 600 В, 7 А, TO220-3 (5 шт.)
Характеристики и описание

Основной

ПроизводительSTMicroelectronics
Максимальная мощность рассеивания160 Вт
Максимально допустимое напряжение затвор-исток30 В
Максимально допустимое напряжение сток-исток600 В
Максимально допустимый ток стока7 А
Сопротивление в открытом состоянии (Rds)450 mOm

Дополнительные характеристики

СостояниеНовое

Основной

Тип монтажаВставной
Тип транзистораПолевой

Пользовательские характеристики

ВерсияESD
Гарантийный срок12 міс
Количество в комплекте5 шт.
КорпусTO220-3
ТехнологияFDmesh™

Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP11NM60FD — полевой транзистор с технологией FDmesh™ в корпусе TO220-3.

  • Тип транзистора: полевой N-MOSFET
  • Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 В
  • Максимально допустимый ток стока: 7 А
  • Максимальная мощность рассеивания: 160 Вт
  • Сопротивление в открытом состоянии: 450 мОм
  • Корпус: TO220-3, вставной монтаж
  • Комплектация: 5 шт.
Электрические параметры

Максимально допустимое напряжение сток-исток составляет 600 В, а максимально допустимый ток стока — 7 А. Максимальная мощность рассеивания достигает 160 Вт. Сопротивление в открытом состоянии (Rds) равно 450 мОм.

Конструкция и монтаж

Транзистор имеет вставной тип монтажа и выполнен в корпусе TO220-3. Канал транзистора является обогащенным, полярность — униполярная. Версия компонента обозначена как ESD.

Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP11NM60FD, 600 В, 7 А, TO220-3 (5 шт.)

В наличии
Код: TM020908
3 030 ₴
Способы оплаты
Безопасная оплата
  • Как наложенный платеж, только без переплат
  • Вернем деньги, если что-то пойдет не так
  • Bigl гарантирует безопасность
Наложенный платеж
Нова Пошта, Самовывоз
Способы доставки
Нова Пошта — от 70 грн
Самовывоз
Условия возврата
Возврат товара в течение 14 дней
Новинки в категории транзисторы
Чат