Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STU10NM60N — это полевой транзистор с обогащенным каналом в корпусе IPAK. Прибор рассчитан на максимальное напряжение сток-исток 600 В и ток стока 5 А.

• Тип транзистора: полевой (N-MOSFET)
• Максимальное напряжение сток-исток: 600 В
• Максимальный ток стока: 5 А
• Мощность рассеивания: 70 Вт
• Сопротивление в открытом состоянии: 550 мОм
• Корпус: IPAK, штыревой монтаж
• Технология: MDmesh™ II
• Количество в комплекте: 20 шт.

Транзистор имеет максимальное напряжение сток-исток 600 В и максимально допустимый ток стока 5 А. Максимальная мощность рассеивания составляет 70 Вт, а сопротивление в открытом состоянии (Rds) — 550 мОм. Максимально допустимое напряжение затвор-исток ограничено значением 25 В.

Прибор изготовлен по технологии MDmesh™ II и имеет штыревой тип монтажа. Корпус IPAK обеспечивает стандартное расположение для печатных плат. Транзистор является однополярным (unipolar) с обогащенным каналом.

В комплекте поставляется 20 шт. транзисторов.