Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STB55NF06T4 — это полевой транзистор с индуцированным каналом в корпусе D2PAK. Устройство имеет максимальное напряжение сток-исток 60 В и ток стока 35 А. В комплект входит 10 единиц.

• Тип транзистора: полевой N-MOSFET
• Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 В
• Максимально допустимый ток стока: 35 А
• Максимальная мощность рассеивания: 110 Вт
• Сопротивление в открытом состоянии (Rds): 18 мОм
• Корпус: D2PAK, тип монтажа: поверхностный
• Количество в комплекте: 10 шт.

Транзистор рассчитан на максимальное напряжение сток-исток 60 В и напряжение затвор-исток 20 В. Максимально допустимый ток стока составляет 35 А, а мощность рассеивания — 110 Вт. Сопротивление в открытом состоянии (Rds) равно 18 мОм.

Компонент выполнен для поверхностного монтажа (SMD) в корпусе D2PAK. Транзистор является униполярным полевым прибором с индуцированным каналом.

Устройство изготовлено по технологии SuperMesh™ и имеет версию ESD.

В упаковке содержится 10 транзисторов STB55NF06T4.