Основной
| Производитель | STMicroelectronics |
| Максимальная мощность рассеивания | 190 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 30 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 800 В |
| Максимально допустимый ток стока | 6.60 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 650 mOm |
Дополнительные характеристики
| Состояние | Новое |
Основной
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
Пользовательские характеристики
| Версия | ESD |
| Гарантийный срок | 12 міс |
| Количество в комплекте | 5 шт. |
| Корпус | TO247 |
| Технология | SuperMesh™ |
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STW12NK80Z — это полевой транзистор с каналом обогащения, рассчитанный на напряжение сток-исток до 800 В и ток стока 6,6 А. Прибор выполнен в корпусе TO247 с технологией SuperMesh™ и имеет максимальную мощность рассеивания 190 Вт.
- Тип транзистора: полевой N-MOSFET
- Максимальное напряжение сток-исток: 800 В
- Максимальный ток стока: 6,6 А
- Мощность рассеивания: 190 Вт
- Корпус: TO247, монтаж выводной
- Сопротивление в открытом состоянии: 650 мОм
- Количество в наборе: 5 шт.
Транзистор работает с максимально допустимым напряжением сток-исток 800 В и напряжением затвор-исток 30 В. Максимальный ток стока составляет 6,6 А, а сопротивление в открытом состоянии (Rds) равно 650 мОм. Максимальная мощность рассеивания прибора — 190 Вт.
Конструкция и монтажКомпонент изготовлен в корпусе TO247 с выводным типом монтажа. Транзистор является однополярным (unipolar) с каналом обогащения (enhancement). Используется технология SuperMesh™.
Версия и технология SuperMesh™ (желательно)В комплекте поставляется 5 транзисторов. Версия компонента обозначена как ESD.
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STW12NK80Z, 800 В, 6,6 А, TO247 (набор 5 шт.)
- Как наложенный платеж, только без переплат
- Вернем деньги, если что-то пойдет не так
- Bigl гарантирует безопасность