Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP18NM60N — это полевой транзистор с технологией MDmesh™ II в корпусе TO220-3. Максимальное напряжение сток-исток составляет 600 В, а ток стока — 8.2 А. В комплекте поставляется 10 единиц.

• Тип транзистора: N-MOSFET (полевой)
• Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 В
• Максимально допустимый ток стока: 8.2 А
• Сопротивление в открытом состоянии (Rds): 285 мОм
• Корпус: TO220-3
• Количество в комплекте: 10 шт.

Транзистор рассчитан на максимальное напряжение сток-исток 600 В и напряжение затвор-исток 25 В. Максимально допустимый ток стока равен 8.2 А, а сопротивление в открытом состоянии (Rds) — 285 мОм. Максимальная мощность рассеивания составляет 110 Вт.

Устройство изготовлено по технологии MDmesh™ II и имеет выводной тип монтажа. Корпус: TO220-3. Транзистор является униполярным с обогащенным каналом.

В наборе содержится 10 транзисторов STP18NM60N. Импульсный ток стока составляет 52 А, а заряд затвора — 35 нКл.