Основной
| Производитель | STMicroelectronics |
| Максимальная мощность рассеивания | 283 Вт |
| Максимально допустимое напряжение коллектор-эммитер | 650 В |
Дополнительные характеристики
| Состояние | Новое |
Основной
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
Пользовательские характеристики
| Гарантийный срок | 12 міс |
| Количество в комплекте | 10 шт. |
| Корпус | TO3P |
Транзистор IGBT производства STMicroelectronics, модель STGWT40HP65FB. Транзистор в корпусе TO3P с максимальным напряжением коллектор-эмиттер 650 В. В комплект входит 10 единиц.
- Тип транзистора: IGBT (биполярный с изолированным затвором)
- Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 В
- Максимальная мощность рассеивания: 283 Вт
- Корпус: TO3P, выводной монтаж
- Интегрированный антипараллельный диод
- Количество в комплекте: 10 шт.
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер составляет 650 В, что определяет рабочий диапазон устройства. Максимально допустимый ток коллектора указан в названии как 40 А, однако в технических характеристиках приведено значение 160 А. Максимальная мощность рассеивания равна 283 Вт. Напряжение между затвором и эмиттером ограничено величиной ±30 В.
Конструкция и монтажТранзистор выполнен в корпусе TO3P с выводным типом монтажа. Устройство представляет собой биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) с интегрированным антипараллельным диодом. Заряд затвора составляет 0,21 мкКл.
КомплектацияВ набор входит 10 транзисторов STGWT40HP65FB.
Транзистор IGBT STMicroelectronics STGWT40HP65FB, 650 В, 40 А, TO3P (набор 10 шт.)
- Как наложенный платеж, только без переплат
- Вернем деньги, если что-то пойдет не так
- Bigl гарантирует безопасность