Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STL8DN6LF6AG — это полевой транзистор с каналом обогащения. Модель имеет максимальное напряжение сток-исток 60 В и ток стока 32 А.

• Тип транзистора: N-MOSFET (полевой, канал обогащения)
• Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 В
• Максимально допустимый ток стока: 32 А
• Сопротивление в открытом состоянии (Rds): 27 мОм
• Максимальная мощность рассеивания: 55 Вт
• Корпус: PowerFLAT 5x6 (поверхностный монтаж)
• Количество в комплекте: 20 шт.

Транзистор работает с максимально допустимым напряжением сток-исток 60 В и напряжением затвор-исток 20 В. Максимальный постоянный ток стока составляет 32 А, а импульсный ток может достигать 128 А. Сопротивление в открытом состоянии (Rds) равно 27 мОм.

Максимальная мощность рассеивания транзистора составляет 55 Вт. Прибор выполнен в корпусе PowerFLAT 5x6. Монтаж: поверхностный (SMD).

В наборе поставляется 20 транзисторов. Применение: автомобильная промышленность. Импульсный ток стока (Idm) составляет 128 А. Заряд затвора равен 27 нКл.