•
•
•
•
•
•
Транзистор N-MOSFET SiC DIOTEC DIW120SIC028, 1200 В, 84 А, TO247-3
Характеристики и описание
Основной
| Производитель | Diotec Semiconductor |
| Максимальная мощность рассеивания | 715 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимый ток стока | 84 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 26 mOm |
Дополнительные характеристики
| Состояние | Новое |
Основной
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
Пользовательские характеристики
| Гарантийный срок | 12 міс |
| Корпус | TO247-3 |
| Технология | SiC |
Транзистор N-MOSFET DIOTEC DIW120SIC028 — силовой полупроводниковый прибор на основе карбида кремния (SiC). Максимальное напряжение затвор-исток составляет 20 В, максимальный ток стока — 84 А.
- Технология SiC (карбид кремния)
- Максимальная мощность рассеивания 715 Вт
- Ток стока 84 А
- Сопротивление в открытом состоянии 26 мОм
- Корпус TO247-3, вставной монтаж
Максимальная мощность рассеивания составляет 715 Вт.
Электрические параметрыМаксимально допустимый ток стока составляет 84 А, а максимально допустимое напряжение затвор-исток — 20 В.
Технология и монтажТехнология изготовления — SiC (карбид кремния). Сопротивление в открытом состоянии (Rds) составляет 26 мОм. Корпус — TO247-3, тип монтажа — вставной.
Транзистор N-MOSFET SiC DIOTEC DIW120SIC028, 1200 В, 84 А, TO247-3
В наличии
3 420 ₴
Способы оплаты
Безопасная оплата
- Как наложенный платеж, только без переплат
- Вернем деньги, если что-то пойдет не так
- Bigl гарантирует безопасность
Нова Пошта, Самовывоз
Способы доставки
Нова Пошта — от 70 грн
Самовывоз
Условия возврата
Возврат товара в течение 14 дней Другие товары продавца
Смотрите также
Новинки в категории транзисторы
Чат