•
•
•
•
•
•
Транзистор N-MOSFET SiC DIOTEC DIF120SIC028, 1200 В, 84 А, 715 Вт
Характеристики и описание
Основной
| Производитель | Diotec Semiconductor |
| Максимальная мощность рассеивания | 715 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимый ток стока | 84 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 26 mOm |
Дополнительные характеристики
| Состояние | Новое |
Основной
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
Пользовательские характеристики
| Гарантийный срок | 12 міс |
| Корпус | TO247-4 |
| Технология | SiC |
Транзистор N-MOSFET DIOTEC DIF120SIC028 изготовлен по технологии SiC. Устройство рассчитано на максимальное напряжение 1200 В, ток стока 84 А и рассеиваемую мощность до 715 Вт.
- Тип транзистора: N-MOSFET
- Технология: SiC (карбид кремния)
- Максимальное напряжение: 1200 В
- Ток стока: 84 А
- Мощность рассеивания: 715 Вт
- Корпус: TO247-4
Максимально допустимое напряжение затвор-исток составляет 20 В, а максимально допустимый ток стока — 84 А. Сопротивление в открытом состоянии (Rds) равно 26 мОм. Максимальная мощность рассеивания ограничена значением 715 Вт.
Конструкция и монтажКомпонент выполнен в корпусе TO247-4 с выводным типом монтажа. Это полевой транзистор с каналом типа «wzbogacany» (обогащенный) и униполярной проводимостью.
Транзистор N-MOSFET SiC DIOTEC DIF120SIC028, 1200 В, 84 А, 715 Вт
В наличии
3 420 ₴
Способы оплаты
Безопасная оплата
- Как наложенный платеж, только без переплат
- Вернем деньги, если что-то пойдет не так
- Bigl гарантирует безопасность
Нова Пошта, Самовывоз
Способы доставки
Нова Пошта — от 70 грн
Самовывоз
Условия возврата
Возврат товара в течение 14 дней Другие товары продавца
Смотрите также
Новинки в категории транзисторы
Чат