Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STB40NF10LT4 — это униполярный полевой транзистор с каналом обогащения. Модель отличается технологией SuperMesh™ и версией ESD. Напряжение затвор-исток составляет ±15 В.
- Тип транзистора: N-MOSFET, униполярный, канал обогащения
- Максимальное напряжение сток-исток: 100 В
- Максимальный ток стока: 25 А
- Рассеиваемая мощность: 150 Вт
- Сопротивление в состоянии проводимости: 36 мОм
- Корпус: D2PAK, монтаж SMD
- Технология: SuperMesh™, защита ESD
- Комплектация: набор из 10 шт.
Рассеиваемая мощность
Транзистор имеет рассеиваемую мощность 150 Вт. Этот параметр определяет максимальную тепловую нагрузку компонента во время работы.
Электрические параметры
Максимальный ток стока составляет 25 А, а напряжение сток-исток — 100 В. Напряжение затвор-исток равно ±15 В.
Корпус и монтаж
Компонент выполнен в корпусе D2PAK с типом монтажа SMD. Сопротивление в состоянии проводимости составляет 36 мОм.
Версия ESD
Транзистор выпускается в версии ESD. Эта характеристика указана в спецификации производителя.
Транзистор STB40NF10LT4 поставляется набором из 10 штук. Компонент имеет символ производителя STB40NF10LT4.