IGBT-транзистор STMicroelectronics STGP30M65DF2 в корпусе TO220AB. Комплект состоит из 10 единиц.
- Напряжение коллектор-эмиттер: 650 В
- Постоянный ток коллектора: 30 А
- Импульсный ток: до 120 А
- Рассеиваемая мощность: 258 Вт
- Корпус: TO220AB, монтаж THT
- Интегрированный антипараллельный диод
- Комплект: 10 шт.
Высокое напряжение и ток
Транзистор работает с напряжением коллектор-эмиттер до 650 В и постоянным током коллектора 30 А.
Импульсная мощность
Прибор выдерживает импульсный ток коллектора до 120 А. Максимальная рассеиваемая мощность составляет 258 Вт.
Встроенный диод и монтаж
Компонент имеет интегрированный антипараллельный диод. Монтаж выполняется методом THT в корпусе TO220AB.
Управление и заряд
Напряжение управления затвором составляет ±20 В, а заряд затвора — 80 нКл.
Комплектация
В набор входит 10 транзисторов STGP30M65DF2.