Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STD10NM60N — полевой транзистор с каналом обогащения (униполярный) в корпусе DPAK. Максимальное напряжение сток-исток — 600 В, максимальный ток стока — 5 А.
- Тип транзистора: Полевой (N-MOSFET)
- Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 В
- Максимально допустимый ток стока: 5 А
- Максимальная мощность рассеивания: 70 Вт
- Корпус: DPAK (поверхностный монтаж)
- Сопротивление в открытом состоянии: 550 мОм
Электрические параметры
Максимально допустимое напряжение сток-исток составляет 600 В. Максимальный ток стока — 5 А, а мощность рассеивания — 70 Вт. Сопротивление в открытом состоянии (Rds) равно 550 мОм.
Конструкция и монтаж
Транзистор выполнен для поверхностного монтажа в корпусе DPAK. Тип монтажа: поверхностный. Корпус: DPAK.
Комплектация и канал
В комплекте 20 шт. Канал транзистора — обогащенный, полярность — униполярная.