Тип транзистора: IGBT (указан в названии производителя). Максимальное напряжение коллектор-эмиттер составляет 650 В. В комплекте 10 единиц.
- Тип транзистора: IGBT
- Максимальное напряжение коллектор-эмиттер: 650 В
- Мощность рассеивания: 230 Вт
- Корпус: TO247-3, выводной монтаж
- Количество в комплекте: 10 шт.
Электрические параметры
Транзистор рассчитан на максимальное напряжение коллектор-эмиттер 650 В. Максимальная мощность рассеивания равна 230 Вт.
Конструкция и монтаж
Компонент выполнен в корпусе TO247-3 с выводным типом монтажа. Напряжение на затворе ограничено значением ±30 В.
Комплектация
В наборе 10 транзисторов STGWA40H65DFB2.