Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP22NM60N — это полевой транзистор с каналом обогащения, выполненный в корпусе TO220-3. Модель относится к технологии MDmesh™ II и предназначена для работы с напряжением до 600 В и током стока до 16 А.

• Тип транзистора: N-MOSFET (полевой)
• Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 В
• Максимально допустимый ток стока: 16 А
• Сопротивление в открытом состоянии (Rds): 220 мОм
• Корпус: TO220-3, монтаж выводной
• Количество в наборе: 10 шт.

Максимально допустимое напряжение сток-исток (Vds) составляет 600 В, что определяет верхнюю границу рабочего напряжения. Максимальный постоянный ток стока (Id) равен 16 А, а импульсный ток (Idm) может достигать 64 А. Напряжение затвор-исток (Vgs) ограничено значением 30 В. Сопротивление в открытом состоянии (Rds) равно 220 мОм, что влияет на тепловые потери при прохождении тока.

Транзистор изготовлен по технологии MDmesh™ II. Корпус TO220-3 предусматривает выводной тип монтажа (THT). Максимальная мощность рассеивания составляет 125 Вт.

Тип канала транзистора — обогащенный (wzbogacany), а полярность — униполярная. Заряд затвора составляет 44 нКл. В комплект входит 10 транзисторов.