Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STB55NF06LT4 — это полевой транзистор с каналом обогащения (униполярный) в корпусе D2PAK. Комплект состоит из 20 единиц. Основные параметры: максимальное напряжение сток-исток 60 В, ток стока 39 А, мощность рассеивания 95 Вт.

• Тип транзистора: полевой (N-MOSFET)
• Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 В
• Максимально допустимый ток стока: 39 А
• Максимальная мощность рассеивания: 95 Вт
• Сопротивление в открытом состоянии: 20 мОм
• Корпус: D2PAK, поверхностный монтаж
• Количество в комплекте: 20 шт.

Транзистор рассчитан на максимальное напряжение сток-исток 60 В и максимально допустимый ток стока 39 А. Максимальная мощность рассеивания составляет 95 Вт. Сопротивление в открытом состоянии (Rds) равно 20 мОм. Максимально допустимое напряжение затвор-исток — 16 В.

Изделие выполнено для поверхностного монтажа в корпусе D2PAK. Используется технология SuperMesh™. Тип монтажа — поверхностный.

В комплекте поставляется 20 транзисторов. Версия компонента обозначена как ESD.