Транзистор N-MOSFET ROHM RU1J002YNTCL — это униполярный компонент с каналом обогащения, предназначенный для поверхностного монтажа (SMD). Товар поставляется набором из 100 штук в корпусе SOT323F.

• Тип: N-MOSFET, униполярный, канал обогащения
• Напряжение сток-исток: 50 В
• Ток стока: 200 мА (постоянный), 0,8 А (импульсный)
• Мощность рассеивания: 150 мВт
• Корпус: SOT323F, монтаж SMD
• Набор: 100 штук

Транзистор рассчитан на напряжение сток-исток 50 В и постоянный ток стока 200 мА. В импульсном режиме допустимый ток возрастает до 0,8 А, а максимальная рассеиваемая мощность составляет 150 мВт. Сопротивление в состоянии проводности равно 3,8 Ом. Максимальное напряжение затвор-исток составляет ±8 В.

Компонент выполнен в компактном корпусе SOT323F для поверхностного монтажа (SMD). Версия ESD указывает на наличие защиты от электростатических разрядов.

В упаковке содержится 100 транзисторов ROHM SEMICONDUCTOR с маркировкой RU1J002YNTCL. Производитель указан как ROHM SEMICONDUCTOR, символ производителя — RU1J002YNTCL.