Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STF13NM60N — это полевой транзистор с каналом обогащения, изготовленный по технологии MDmesh™ II. Устройство рассчитано на максимальное напряжение сток-исток 600 В и ток стока 6,93 А при мощности рассеивания 25 Вт.

• Тип транзистора: N-MOSFET, полевой, канал обогащения
• Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 В
• Максимально допустимый ток стока: 6,93 А
• Максимальная мощность рассеивания: 25 Вт
• Сопротивление в открытом состоянии (Rds): 360 мОм
• Корпус: TO220FP, выводной монтаж
• Технология: MDmesh™ II
• Количество в комплекте: 10 шт.

Транзистор имеет максимальное напряжение сток-исток 600 В и максимально допустимый ток стока 6,93 А. Максимальная мощность рассеивания составляет 25 Вт, а сопротивление в открытом состоянии (Rds) равно 360 мОм. Максимально допустимое напряжение затвор-исток ограничено значением 25 В.

Компонент выполнен в корпусе TO220FP с выводным типом монтажа. Это однополярный транзистор с каналом обогащения, соответствующий спецификации N-MOSFET. Технология производства MDmesh™ II определяет конструктивные особенности структуры прибора.

В наборе поставляется 10 транзисторов STF13NM60N.