Одиночный силовой транзистор MOSFET от бренда DACO Semiconductor с маркировкой DAMI660N60. Компонент выполнен в корпусе SOT227B и предназначен для работы с напряжением до 60 В и током до 500 А.

• Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 В
• Максимально допустимый ток стока: 500 А
• Сопротивление в открытом состоянии (Rds): 0,9 мОм
• Корпус: SOT227B
• Тип монтажа: прикручиваемый

Транзистор имеет максимально допустимое напряжение сток-исток 60 В и максимально допустимый ток стока 500 А. Сопротивление в открытом состоянии (Rds) составляет 0,9 мОм.

Компонент является однополярным (униполярным) и имеет структуру одиночного транзистора. Механический и электрический монтаж выполняется с помощью прикручивания.