IGBT-транзистор STMicroelectronics STGD3HF60HDT4 в корпусе DPAK для поверхностного монтажа. Устройство рассчитано на максимальное напряжение коллектор-эмиттер 600 В и ток коллектора 4,5 А при мощности рассеивания 38 Вт.

• Тип транзистора: IGBT (полевой)
• Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 В
• Максимально допустимый ток коллектора: 4,5 А
• Максимальная мощность рассеивания: 38 Вт
• Корпус: DPAK, монтаж поверхностный
• Количество в наборе: 20 шт.

Транзистор имеет максимальное напряжение коллектор-эмиттер 600 В. Максимально допустимый ток коллектора составляет 4,5 А. Мощность рассеивания ограничена значением 38 Вт.

Компонент выполнен в корпусе DPAK с поверхностным типом монтажа (SMD). В конструкции предусмотрен интегрированный антипараллельный диод.

Товар поставляется набором из 20 транзисторов.