IGBT-модуль STARPOWER GD35PJY120L3S — это полупроводниковый компонент со структурой диод/транзистор. Модуль имеет максимальное напряжение 1200 В и номинальный ток коллектора 35 А.

• Максимальное напряжение 1200 В
• Номинальный ток коллектора 35 А
• Импульсный ток коллектора 70 А
• Технология Advanced Trench FS IGBT
• Корпус L3.0
• Монтаж Press-in PCB

Модуль работает с максимальным обратным напряжением 1,2 кВ и номинальным током коллектора 35 А. Импульсный ток коллектора составляет 70 А. Напряжение между затвором и эмиттером составляет ±20 В.

Используется технология Advanced Trench FS IGBT. Топология модуля включает boost chopper, диодный трехфазный мост, IGBT трехфазный мост с выходом OE и термистор NTC.

Модуль имеет корпус L3.0 и механическое крепление типа «прикручиваемое». Электрическое подключение осуществляется через прессованное соединение с печатной платой (Press-in PCB).