•
•
•
•
•
•
Транзистор IGBT модуль STARPOWER GD40PIY120C5S, 1200 В, 40 А
Характеристики и описание
Основной
| Максимально допустимый ток коллектора | 40 А |
Дополнительные характеристики
| Состояние | Новое |
Основной
| Тип монтажа | Вставной |
Пользовательские характеристики
| Гарантийный срок | 12 міс |
| Корпус | C5 45 мм |
| Производитель | STARPOWER SEMICONDUCTOR |
Полупроводниковый модуль IGBT от бренда STARPOWER SEMICONDUCTOR с маркировкой GD40PIY120C5S. Устройство сочетает в себе диод и транзистор, работает по топологии boost chopper и имеет максимальное напряжение 1200 В.
- Максимальное напряжение: 1200 В
- Максимальный ток коллектора: 40 А
- Тип монтажа: вставной
- Корпус: C5 45 мм
- Технология: Advanced Trench FS IGBT
- Напряжение затвор-эмиттер: ±20 В
Модуль рассчитан на максимальное напряжение 1200 В и максимальный ток коллектора 40 А. Напряжение между затвором и эмиттером составляет ±20 В. Технология изготовления — Advanced Trench FS IGBT.
Конструкция и монтажКорпус модуля имеет типоразмер C5 45 мм. Изделие предназначено для вставного монтажа. В структуре полупроводника реализована комбинация диода и транзистора.
Транзистор IGBT модуль STARPOWER GD40PIY120C5S, 1200 В, 40 А
В наличии
7 220 ₴
Способы оплаты
Безопасная оплата
- Как наложенный платеж, только без переплат
- Вернем деньги, если что-то пойдет не так
- Bigl гарантирует безопасность
Нова Пошта, Самовывоз
Способы доставки
Нова Пошта — от 70 грн
Самовывоз
Условия возврата
Возврат товара в течение 14 дней Другие товары продавца
Смотрите также
Новинки в категории транзисторы
Чат